КР198НТ5А (1989Г.)

КР198НТ5А

Назначение: матрица из n‑p‑n транзисторов (5 интегральных элементов).

Корпус: 201.14‑1 (масса ≤ 1,2 г). Год выпуска: 1991.

Электрические параметры:

• напряжение насыщения база‑эмиттер (при Iк = 3 мА, Iб = 0,5 мА, t = +25 °C): ≤ 1 В;
• напряжение насыщения коллектор‑эмиттер (при тех же условиях): ≤ 0,5 В;
• обратный ток коллектора (при UКБ = 6 В): ≤ 0,3 мкА;
• статический коэффициент передачи тока (в схеме с общим эмиттером): 20–125.

Предельно допустимые режимы эксплуатации:

• постоянное напряжение коллектор‑база: ≤ 15 В;
• постоянный ток коллектора: ≤ 10 мА;
• температура окружающей среды: –45…+85 °C.

Применение: усилители, генераторы, аналоговые устройства, где требуется высокая надёжность и стабильность работы.