Подложка ситалловая СТ-50-1-1-1,0

СТ-50-1-1-0,6 подложка ситалловая предназначена для изготовления пленочных микросхем и других изделий электронной техники.

 Ситалловые подложки СТ-50-1-1-0,6 применяются в радиоэлектронной промышленности, военно-промышленном комплексе, самолетостроении, судостроении и других отраслях электронной промышленности.

 Технические характеристики СТ-50-1-1-0,6:

 Шероховатость рабочей поверхности - не менее 0,032 мкм.

Шероховатость не рабочей поверхности - не менее 4 мкм.

Класс точности - 1.

 Плотность СТ-50-1-1-0,6 ситалловой подложки - от 2,6 г/см3 до 2,7 г/см3.

Микротвердость - 705 кгс/мм2.

 Термостойкость - +210° С.

Диэлектрическая проницаемость при частоте 1 МГц - от 8 до 9.

 Тангенс угла диэлектрических потерь при частоте 1 МГц - не более 15.

Удельное объемное электрическое сопротивление при температуре +100° С - 1014 Ом∙см.

 Температурный коэффициент линейного расширения Альфа·107 К-1 в интервале температур от +20° С до +300° С - от 50 до 54.

Электрическая прочность СТ-50-1-1-0,6 - 47 кВ/мм.

 Теплопроводность - 1,4 Вт/м·К.

Габаритные размеры - 60×48×0,6 мм.

Масса - не более 4,6 г.

 Ситалл СТ-50-1-1-0,6 представляет собой стеклокерамический материал на основе стекла.

Кристаллическая структура, подобная керамической, но с более мелкими кристаллами и более плотной их упаковкой исключает какую-либо пористость материала.

 Ситалловые подложки СТ-50-1-1-0,6 соответствуют техническим условиям ПГКЖ.431.431.003 ТУ.